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厂商型号

FDB603AL_Q 

产品描述

MOSFET

内部编号

3-FDB603AL-Q

#1

数量:419
1+¥3.244
25+¥3.162
100+¥3.049
250+¥2.936
500+¥2.925
最小起订量:1
美国加州
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全场免运费 /报价不含任何销售税

FDB603AL_Q产品详细规格

Status Active
工厂包装数量 232
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 33 A
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 22 mOhms
封装 Reel
功率耗散 50 W
最低工作温度 - 65 C
封装/外壳 TO-263AB
典型关闭延迟时间 20 ns
上升时间 102 ns
最高工作温度 + 175 C
漏源击穿电压 30 V
RoHS No
下降时间 80 ns

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